离子束刻蚀也称为离子铣，是指当定向高能离子向固体靶撞击时,能量从入射离子转移到固体表面原子上，如果固体表面原子间结合能低于入射离子能量时，固体表面原子就会被移开或从表面上被除掉。通常离子束刻蚀所用的离子来自惰性气体。
离子束刻蚀机是一种用于工程与技术科学基础学科、测绘科学技术、航空、航天科学技术领域的工艺试验仪器。用于工程与技术科学基础学科、测绘科学技术、航空、航天科学技术领域的工艺试验仪器。
离子束最小直径约10nm，离子束刻蚀的结构最小可能不会小于10nm。聚焦离子束刻蚀的束斑可达100nm以下，最少的达到10nm，获得最小线宽12nm的加工结果。相比电子与固体相互作用，离子在固体中的散射效应较小，并能以较快的直写速度进行小于50nm的刻蚀，故而聚焦离子束刻蚀是纳米加工的一种理想方法。此外聚焦离子束技术的另一优点是在计算机控制下的无掩膜注入，甚至无显影刻蚀，直接制造各种纳米器件结构。
SHL 系列离子束刻蚀机配置项目如下：
配置项目
| SHL FA100-IBE
| SHL 100S-IBE
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样片尺寸
| 4英寸向下
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RF离子源
| 离子能量100~1000V，离子通量100~800mA，束流准直性＜±5%，束流不均匀 性＜±5%，100h工艺稳定时间
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分子泵
| 1000/2000/3000（L/s），可配防腐型泵
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前级泵
| 机械泵/干泵，可配防腐型泵
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预抽泵
| 机械泵/干泵，可配防腐型泵
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预抽腔
| 可选配
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工艺控压
| 不控压/0~0.1Torr控压
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气体种类
| H2,CH4,O2,N2,Ar,SF6,CF4,CHF3,C4F8,NF3,NH3,C2F6,Cl2,BCl3,HBr/定制(最多12路)
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气体量程
| 0~5sccm/50sccm/100sccm/定制
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传输腔
| 可选配
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样片控温
| -30℃/10℃~室温
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背氦冷却
| 可选配
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工艺腔内衬
| 可选配
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样品台 | 旋转0 ~ 30 rpm，支持往复运动，0 ~ 180°倾斜，控制精度±0.1°，自动控制
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控制系统
| 全自动/定制
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工作模式
| 可选 反应离子束刻蚀模式（RIBE）与化学辅助离子束刻蚀模式（CAIBE)
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刻蚀材料
| 硅基材料：SiNx，SiO2 金属材料：Ta、Ti、Cu、Al | 磁性材料/合金材料 金属材料：Ni、Cr、Cu、Al、Au....... 光栅结构
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