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反应离子刻蚀 SHL100-RIE

发布日期:2023-02-24 15:02:55浏览次数:386

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项目及机台结构图

配置项目

SHL100-RIE

SHL200-RIE

 

SHL200C-RIE

 

样片尺寸

4英寸向下

 

8英寸向下兼容

8英寸向下

 

RF  功率源

 

0~300W/500W/1000W可调,自动匹配

 

分子泵

 

/620(L/s)/1300(L/s)/定制

 

/620(L/s)/1300(L/s)/定制

 

前级泵

机械泵/干泵

 

干泵

 

工艺控压

 

不控压/0~1Torr控压

 

气体种类

 

H2 /CH4 /O2 /N2 /Ar/SF6 /CF4 / CHF3 /C4F8 /NF3 /定制

(最多9路:不含腐蚀与剧毒气体

H2 /CH4 /O2 /N2 /Ar/F6 /CF4 / CHF3 / C4F8 /NF3 /Cl2 /BCl3 /HBr

(最多9路)

 

气体量程

 

0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/定制

LoadLock腔

/无

 

样片控温

10℃ ~室温/ -30℃~100℃/定制

-30℃~100℃/定制

 

背氦冷却

/无

艺腔内衬

/无

腔壁控温

/室温~60/120℃

 

室温~60/120℃

 

控制系统

 

全自动/定制

 

刻蚀材料

 

硅基材料:Si/SiO2 /石英/SiNx…… IV-IV材料:SiC                                   磁性材料/合金材料

金属材料:Ni/Cr/Al/Au……

有机材料:PR/PMMA/HDMS/有机 膜……

硅基材料:Si/SiO2 /石英/SiNx……         III-V材料(注3)   :InP/GaAs/GaN…… IV-IV材料:SiC                                            II-VI材料(注3)   :CdTe……                   磁性材料/合金材料

金属材料:Ni/Cr/Al/Au……

有机材料:PR/PMMA/HDMS/有机膜

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应用案例:

硅基材 刻蚀

硅基材料、纳米压印图形、阵列图形以及透镜图形刻蚀

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石英材料蚀刻                                                    阵列图形                                 透镜结构


磷化铟(InP)常温 刻

用于光通信中的InP基器件的图案化蚀刻,包括波导结构,谐振腔结构,脊结构等

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