激光分子束外延系统

双腔体脉冲激光沉积系统-PLD

PLD工艺生长腔

 ◉ 选用圆球形或圆柱形腔体，极限真空度优于 5 x 10^-9 mbar

 ◉ 腔体法兰口包括：主抽气口、样品台、靶台、工艺进气口、全量程真空计、工艺真空计、RHEED 电子枪、荧光屏、观察窗、进样室法兰等，也可以预留其他法兰口，比如红外测温、等离子体源、磁控溅射源

◉ 腔体支持真空烘烤，最高烘烤温度可达200 度

◉ 差分抽气快开门维护法兰

◉ 多角度观察窗，兼顾腔内各核心部件观测

PLD样品台

样品台采用多种加热方式，包括电阻式加热，辐射式加热，红外激光加热；

电阻式加热样品台

◉ 样品区域： 最大2英寸/15 x 18 mm方形区域（适用于旗型样品托）；

◉ 最高加热温度：1000°C；

◉ 加热器可整体插拔传送；

◉ XYZ三维位置可调；

◉ K-type热电偶测温；

辐射式加热样品台

◉ 样品区域： 最大2英寸；

◉ 最高加热温度：1000°C(铂铑合金加热丝，抗氧压)；

◉ 样品实际温度可达800°C，衬底无需银胶固定；

红外激光加热样品台

◉ 样品区域： 最大1英寸；

◉ 激光器：980 nm固体红外激光器，光纤导入；

◉ 最高加热温度：1400°C；

◉ SiC夹层K-type热电偶或者光学红外测温；

◉ XYZ三维位置可调；

PLD靶台

◉ 靶位：4/5/6 x 最大1英寸；

◉ 程控公自转设计；

◉ 靶位自动选取；

◉ 靶台整体取放或单独靶托取放；

◉ XYZ多轴运动可选；

TorrRHEED

◉ 电子枪能量：30 keV；

◉ 荧光屏：CF100/CF150；

◉ 高压工作差分抽气系统，一级差分/两级差分；

◉ 原位生长振荡周期，晶格衍射图谱测量；

PLD工艺气路

◉ 全金属密封质量流量计；

◉ 分子泵旁抽/闸板阀限制抽速，流量计PID控压，或碟阀控压；

◉ Ar/N₂/O₂多种气体混合方式可选；

◉ 支持静态/动态退火工艺

快速进样腔 (Load-lock)

◉ 球型或圆柱型腔体，极限真空可达到10^-7mbar；

◉ 腔体法兰包括：主抽气口，真空计，观察窗，传送杆，快开门等；

◉ 可选配样品存储架，RF Plasma清洁，工艺进气；

◉ 支持样品台/靶台/靶托/样品托传送；

激光光路

◉ 根据脉冲激光沉积系统和实验室场地的实际尺寸具体设计；

◉ 利用几何光学成像原理在光路上放置有光阑、反射镜和透镜；

◉ 光路被完整限制在亚克力有机玻璃包裹的铝型材框架内；

◉ 入射高度/焦距/角度根据系统和实验室空间设计；

◉ 激光器可融入光路内，节省空间；

◉ 出射光斑和强度优化；

光路拓展

◉ 合理配置光路系统可有效提高激光器效率；

◉ 具体分光光路可根据实验室实际空间尺寸确认；

◉ 我们可提供成套解决方案；