感应耦合等离子刻蚀机简介

产品名称：ICP感应耦合等离子刻蚀机

型号：ICP-RIE Plasma Etcher SI 500

SI 500-300用于最大200 mm x200 mm 的方片，特别适合石英光栅、微透镜的刻蚀

SI 500为研发和小批量生产应用提供先进的ICP刻蚀工艺，具备高度的灵活性和模块化设计特点。

SI 500的主要应用：SI 500通过感应耦合（ICP）方式产生高密度等离子体，按掩膜（例如介质掩膜、光刻胶掩膜或金属掩膜）图形、实现范围广泛的刻蚀工艺，包括对宽禁带化合物半导体（例如SiC等）、III-V族化合物（例如GaAs、InP、GaN、InSb等）、II-VI族化合物（例如HgCdTe等）、介质、石英、玻璃、硅 和硅化合物（例如SiGe）等材料的选择性刻蚀。

SI 500的主要特点：包括平板式ICP感应耦合等离子 体源、下电极动态温度控制、高传导真空系统、多 尺寸样片间的灵活切换、远程现场控制器RFC控制原理。

SENTECH的平板三螺旋天线（PTSA）ICP源高效 率地将ICP射频功率耦合到等离子体、能生成完全 的感性耦合的高密度等离子体（自由基、离子、电 子），可工作在低压力、刻蚀时样品衬底上具有极 低的直流自偏压，实现低损伤刻蚀工艺，例如量子点和量子线刻蚀。

SI500可实现的先进工艺应用，还包括低等离子功率时的高深宽比刻蚀工艺（例如用100W射频功率刻蚀光子晶体）、GaAs和SiC中的通孔刻蚀、以及在石英和玻璃上的微透镜刻蚀等。

SI 500通过增加DRIE模块，还可实现深硅刻蚀。

SENTECH等离子工艺设备均在洁净室内制造。高 效装配、高产能和清洁环境，为SENTECH用户带 来了高质量、高可靠性的设备。

SENTECH通过专业的、受过良好培训的工程师团队、为全球用户提供良好的本地化服务、快速的售 后服务响应、以及全面和长期的技术支持。

主要特点与核心指标

■ 加工尺寸：最大6英寸直径晶圆、向下兼 容4英寸和更小的晶圆片或不规则碎片

■ 采用平板三螺旋天线，通过电介质板、将 射频功率耦合到等离子体中

■ 最高等离子体密度可到1E12 cm-3 上、下电极间的距离可电动调节反应腔室：本底真空≤ 1E-6 mbar,真 空漏率≤ 2E - 4  mbar · l/s

■ 下电极温度控制：温度控制范围-20°℃~+200°℃,温度控制精度±1°℃

■ 集成式气路柜，质量流量计MFC与反应腔室间的距离不超过150 cm,可以实现工艺气体的快速切换

■ 激光终点检测器：激光波长670 nm,测量速度<1 s,带x-y电动位移，行程范围25 mm x 25 mm

■ 预真空室位于反应腔室的外侧，实现“穿墙式”安装